Даже сейчас производство трекапода миниатюрных полупроводниковых приборов полагалось, в основном, на методе лучево-молекулярной эпитаксии, умеющей изготавливать планарные слои из различных материалов размерами в том числе до моноатомной. Следует иметь ввиду, данные мероприятия имеют значимые уязвимости, мешающие создавать наноскопические композиции. Также сюда относится высокая температура процессов эпитаксии - до многих тысяч градусов, за счет чего хоть и обеспечивается увеличение уникальных пленок, но не выполняется лока�